SQJB60EP-T2_GE3
Vishay Siliconix
Produit non:
SQJB60EP-T2_GE3
Fabricant:
Forfait:
PowerPAK® SO-8 Dual
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 48W (Tc) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SQJB60 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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