SI1988DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produit non:
SI1988DH-T1-GE3
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Forfait:
SC-70-6
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 168mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 1.25W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI1988 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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