SI3586DV-T1-GE3
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SI3586DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produit non:

SI3586DV-T1-GE3

Fabricant:

Vishay Siliconix

Forfait:

6-TSOP

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Quantité:

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Logic Level Gate
Configuration N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Series TrenchFET®
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 830mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 2.1A
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SI3586