SPP80P06PBKSA1
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SPP80P06PBKSA1

Infineon Technologies

Produit non:

SPP80P06PBKSA1

Forfait:

PG-TO220-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5033 pF @ 25 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 173 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5.5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number SPP80P