BSD214SNL6327
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BSD214SNL6327

Infineon Technologies

Produit non:

BSD214SNL6327

Forfait:

PG-SOT363-6-6

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package PG-SOT363-6-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series OptiMOS™2
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Bulk