SPI80N06S2L-05

Infineon Technologies

Produit non:

SPI80N06S2L-05

Fabricant:

Forfait:

PG-TO262-3-1

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Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7530 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	SPI80N