SPD30N03S2L-20
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SPD30N03S2L-20

Infineon Technologies

Produit non:

SPD30N03S2L-20

Forfait:

PG-TO252-3-11

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 23µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SPD30N