SI6562DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produit non:
SI6562DQ-T1-GE3
Fabricant:
Forfait:
8-TSSOP
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | N and P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 1W |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Cut Tape (CT) |
| Base Product Number | SI6562 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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