RSJ650N10TL
Rohm Semiconductor
Produit non:
RSJ650N10TL
Fabricant:
Forfait:
LPTS
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10780 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 32.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | RSJ650 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
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2800+Fabricants dans le monde entier
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