RSD200N10TL
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RSD200N10TL

Rohm Semiconductor

Produit non:

RSD200N10TL

Forfait:

CPT3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48.5 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package CPT3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series -
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number RSD200