RS3E180ATTB1
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RS3E180ATTB1

Rohm Semiconductor

Produit non:

RS3E180ATTB1

Forfait:

8-SOP

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200 pF @ 15 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series -
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number RS3E