RDN120N25FU6
Rohm Semiconductor
Produit non:
RDN120N25FU6
Fabricant:
Forfait:
TO-220FN
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 250V 12A TO220FN
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1224 pF @ 10 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Bulk |
| Base Product Number | RDN120 |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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