R6520ENZC8
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R6520ENZC8

Rohm Semiconductor

Produit non:

R6520ENZC8

Forfait:

TO-3PF

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 650V 20A TO3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 630µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series -
Power Dissipation (Max) 68W (Tc)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number R6520