IRL3303S
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IRL3303S

Infineon Technologies

Produit non:

IRL3303S

Forfait:

D2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tube