IRFU15N20DPBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRFU15N20DPBF

Fabricant:

Forfait:

IPAK (TO-251AA)

Lot:

Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 200V 17A IPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	910 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube