IRFS33N15D
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IRFS33N15D

Infineon Technologies

Produit non:

IRFS33N15D

Forfait:

D2PAK

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2020 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube