IRFIZ24EPBF
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IRFIZ24EPBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRFIZ24EPBF

Forfait:

TO-220AB Full-Pak

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 71mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 29W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube