IRFHM8342TRPBF
Infineon Technologies
Produit non:
IRFHM8342TRPBF
Fabricant:
Forfait:
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Series | HEXFET® |
| Power Dissipation (Max) | 2.6W (Ta), 20W (Tc) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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