IRF7702TR
detaildesc

IRF7702TR

Infineon Technologies

Produit non:

IRF7702TR

Forfait:

8-TSSOP

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3470 pF @ 10 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Tc)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)