IRF7521D1PBF
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IRF7521D1PBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRF7521D1PBF

Forfait:

Micro8™

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 15 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 4.5V
Supplier Device Package Micro8™
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series FETKY™
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Package Tube