IRF7210PBF
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IRF7210PBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRF7210PBF

Forfait:

8-SO

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 212 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 500µA (Min)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tube