IRF6691TR1
Infineon Technologies
Produit non:
IRF6691TR1
Fabricant:
Forfait:
DIRECTFET™ MT
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 10 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Series | HEXFET® |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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