IRF6655TR1
Infineon Technologies
Produit non:
IRF6655TR1
Fabricant:
Forfait:
DIRECTFET™ SH
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DIRECTFET™ SH |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 25µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | HEXFET® |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric SH |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 19A (Tc) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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