IRF6635TRPBF
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IRF6635TRPBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRF6635TRPBF

Forfait:

DIRECTFET™ MX

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5970 pF @ 15 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case DirectFET™ Isometric MX
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 180A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)