IRF3706LPBF
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IRF3706LPBF

Infineon Technologies

Produit non:

IRF3706LPBF

Forfait:

TO-262

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 20V 77A TO262

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410 pF @ 10 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8V, 10V
Package Tube