IRF1902GPBF
Infineon Technologies
Produit non:
IRF1902GPBF
Fabricant:
Forfait:
8-SO
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 15 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Series | HEXFET® |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Package | Tube |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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