IPP16CN10LGXKSA1
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IPP16CN10LGXKSA1

Infineon Technologies

Produit non:

IPP16CN10LGXKSA1

Forfait:

PG-TO220-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4190 pF @ 50 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.7mOhm @ 54A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 61µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 54A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number IPP16C