IPB110N06L G

Infineon Technologies

Produit non:

IPB110N06L G

Fabricant:

Forfait:

PG-TO263-3-2

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Fiche technique:

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MOSFET N-CH 60V 78A TO-263

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FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 30 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 78A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 94µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	78A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Package	Cut Tape (CT)
Base Product Number	IPB110N