IPB075N04LGATMA1
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IPB075N04LGATMA1

Infineon Technologies

Produit non:

IPB075N04LGATMA1

Forfait:

PG-TO263-3

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 56W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number IPB075N