HAT1069C-EL-E
Renesas Electronics Corporation
Produit non:
HAT1069C-EL-E
Fabricant:
Forfait:
6-CMFPAK
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
MOSFET P-CH 12V 4A 6CMFPAK
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | 150°C |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380 pF @ 10 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-CMFPAK |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Mfr | Renesas Electronics America Inc |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
15,000 ㎡En stock Entrepôt
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