2SK3811-ZP-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

Produit non:

2SK3811-ZP-E1-AY

Fabricant:

Forfait:

TO-263

Lot:

Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 40V 110A TO263

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17700 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package	TO-263
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta), 213W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)