2SK1339-E
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2SK1339-E

Renesas Electronics Corporation

Produit non:

2SK1339-E

Forfait:

TO-3P

Lot:

-

Fiche technique:

-

Description:

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 425 pF @ 10 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Series -
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Mfr Renesas Electronics America Inc
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number 2SK1339