GA03JT12-247
GeneSiC Semiconductor
Produit non:
GA03JT12-247
Fabricant:
Forfait:
TO-247AB
Lot:
-
Fiche technique:
Description:
TRANS SJT 1200V 3A TO247AB
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Information sur le produit
Paramètre Info
Guide de l'utilisateur
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| FET Type | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460mOhm @ 3A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Series | - |
| Power Dissipation (Max) | 15W (Tc) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) (95°C) |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Vgs (Max) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Package | Tube |
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2000+Volume moyen quotidien RFQ
30,000,000Unité de produit standard
2800+Fabricants dans le monde entier
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