2N7638-GA
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2N7638-GA

GeneSiC Semiconductor

Produit non:

2N7638-GA

Forfait:

TO-276

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

TRANS SJT 650V 8A TO276

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 225°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 35 V
FET Type -
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 8A
Supplier Device Package TO-276
Vgs(th) (Max) @ Id -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series -
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-276AA
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc) (158°C)
Mfr GeneSiC Semiconductor
Vgs (Max) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Package Bulk