2N7639-GA
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2N7639-GA

GeneSiC Semiconductor

Produit non:

2N7639-GA

Forfait:

TO-257

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

TRANS SJT 650V 15A TO257

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 225°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1534 pF @ 35 V
FET Type -
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 15A
Supplier Device Package TO-257
Vgs(th) (Max) @ Id -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series -
Power Dissipation (Max) 172W (Tc)
Package / Case TO-257-3
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc) (155°C)
Mfr GeneSiC Semiconductor
Vgs (Max) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Package Bulk