BSS131L6327HTSA1
detaildesc

BSS131L6327HTSA1

Infineon Technologies

Produit non:

BSS131L6327HTSA1

Forfait:

PG-SOT23

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3

Quantité:

Livraison:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Paiement:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 77 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 56µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 240 V
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110mA (Ta)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)