BSS123L6433HTMA1

Infineon Technologies

Produit non:

BSS123L6433HTMA1

Fabricant:

Forfait:

PG-SOT23

Lot:

Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	69 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.67 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6Ohm @ 170mA, 10V
Supplier Device Package	PG-SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	SIPMOS®
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	170mA (Ta)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)