BSP298 E6327
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BSP298 E6327

Infineon Technologies

Produit non:

BSP298 E6327

Forfait:

PG-SOT223-4

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 400 V
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA (Ta)
Mfr Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)