BSC042N03S G

Infineon Technologies

Produit non:

BSC042N03S G

Fabricant:

Forfait:

PG-TDSON-8-5

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Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 30V 20A/95A TDSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3660 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 50µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	OptiMOS™
Power Dissipation (Max)	2.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Ta), 95A (Tc)
Mfr	Infineon Technologies
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)