UT6ME5TCR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

UT6ME5TCR

Hersteller:

Paket:

HUML2020L8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

100V 2.0A/1.0A, DUAL NCH+PCH, DF

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 3000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Standard
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	207mOhm @ 2A, 10V, 840mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package	HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Series	-
Package / Case	6-PowerUDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Ta), 1A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Package	Tape & Reel (TR)