TSM250NB06DCR RLG
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TSM250NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produkt-Nr.:

TSM250NB06DCR RLG

Paket:

8-PDFN (5x6)

Charge:

-

Datenblatt:

pdf

Beschreibung:

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1461pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Series -
Package / Case 8-PowerTDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 2W (Ta), 48W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 30A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number TSM250