TSM025NB04LCR RLG
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TSM025NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produkt-Nr.:

TSM025NB04LCR RLG

Paket:

8-PDFN (5.2x5.75)

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6435 pF @ 20 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package 8-PDFN (5.2x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Series -
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Package / Case 8-PowerLDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 161A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number TSM025