STU7N60M2

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STU7N60M2

Hersteller:

Paket:

TO-251 (IPAK)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	271 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.8 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STU7N60