STS4DNFS30
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STS4DNFS30

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STS4DNFS30

Hersteller:

STMicroelectronics

Paket:

8-SOIC

Charge:

-

Datenblatt:

pdf

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SO

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Mfr STMicroelectronics
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number STS4D