STP9N65M2

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STP9N65M2

Hersteller:

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TO-220

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	315 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™
Power Dissipation (Max)	60W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STP9N65