STP65N150M9

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STP65N150M9

Hersteller:

Paket:

TO-220

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 650 V, 128 MOHM TYP.,

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1239 pF @ 400 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	140W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube