STP24N60DM2

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STP24N60DM2

Hersteller:

Paket:

TO-220

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1055 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	FDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STP24