STB8N65M5

STMicroelectronics

Produkt-Nr.:

STB8N65M5

Hersteller:

Paket:

D²PAK (TO-263)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	690 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ V
Power Dissipation (Max)	70W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Tc)
Mfr	STMicroelectronics
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	STB8N65