SQJ992EP-T2_GE3
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SQJ992EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQJ992EP-T2_GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8 Dual

Charge:

-

Datenblatt:

pdf

Beschreibung:

DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 446pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max 34W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SQJ992