SI3585DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produkt-Nr.:
SI3585DV-T1-GE3
Hersteller:
Paket:
6-TSOP
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Configuration | N and P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Series | TrenchFET® |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 830mW |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A, 1.5A |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | SI3585 |
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